Detailed Information
Cited 0 time in 
Cited 0 time in 
Cited 0 time in
Metadata Downloads
저전압 플래시메모리를 위한 SONOS 비휘발성 반도체기억소자에 관한 연구A Study on SONOS Non-volatile Semiconductor Memory Devices for a Low Voltage Flash Memory
- Other Titles
- A Study on SONOS Non-volatile Semiconductor Memory Devices for a Low Voltage Flash Memory
- Issue Date
- 2003
- Publisher
- 한국정보통신학회
- Keywords
- SONOS; Flash memory; Low programming voltage; Non-volatile; Nitride scaling
- Citation
- 한국정보통신학회논문지, v.7, no.2, pp 269 - 275
- Pages
- 7
- Indexed
- KCICANDI
- Journal Title
- 한국정보통신학회논문지
- Volume
- 7
- Number
- 2
- Start Page
- 269
- End Page
- 275
- ISSN
- 2234-4772
2288-4165
- Abstract
- 저전압 프로그래밍이 가능한 플래시메모리를 실현하기 위하여 0.35㎛ CMOS 공정 기술을 이용하여 터널링산화막, 질화막 그리고 블로킹산화막의 두께가 각각 2.4㎚, 4.0㎚, 2.5㎚인 SONOS 트랜지스터를 제작하였으며, SONOS 메모리 셀의 면적은 1.32㎛2이었다. 질화막의 두께를 스케일링한 결과, 10V의 동작 전압에서 소거상태로부터 프로그램상태로, 반대로 프로그램상태에서 소거상태로 스위칭 하는데 50㎳의 시간이 필요하였으며, 최대 메모리윈도우는 1.76V이었다. 그리고 질화막의 두께를 스케일링함에도 불구하고 10년 후에도 0.5V의 메모리 윈도우를 유지하였으며, 105회 이상의 프로그램/소거 반복동작이 가능함을 확인하였다. 마지막으로 부유게이트 소자에서 심각하게 발생하고있는 과도소거현상이 SONOS 소자에서는 나타나지 않았다.
- Files in This Item
- There are no files associated with this item.
- Appears in
Collections - 융합기술공과대학 > Division of Converged Electronic Engineering > Journal Articles
Items in ScholarWorks are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.