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저전압 플래시메모리를 위한 SONOS 비휘발성 반도체기억소자에 관한 연구
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| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 김병철 | - |
| dc.contributor.author | 탁한호 | - |
| dc.date.accessioned | 2022-12-27T07:39:57Z | - |
| dc.date.available | 2022-12-27T07:39:57Z | - |
| dc.date.issued | 2003 | - |
| dc.identifier.issn | 2234-4772 | - |
| dc.identifier.issn | 2288-4165 | - |
| dc.identifier.uri | https://scholarworks.gnu.ac.kr/handle/sw.gnu/29291 | - |
| dc.description.abstract | 저전압 프로그래밍이 가능한 플래시메모리를 실현하기 위하여 0.35㎛ CMOS 공정 기술을 이용하여 터널링산화막, 질화막 그리고 블로킹산화막의 두께가 각각 2.4㎚, 4.0㎚, 2.5㎚인 SONOS 트랜지스터를 제작하였으며, SONOS 메모리 셀의 면적은 1.32㎛2이었다. 질화막의 두께를 스케일링한 결과, 10V의 동작 전압에서 소거상태로부터 프로그램상태로, 반대로 프로그램상태에서 소거상태로 스위칭 하는데 50㎳의 시간이 필요하였으며, 최대 메모리윈도우는 1.76V이었다. 그리고 질화막의 두께를 스케일링함에도 불구하고 10년 후에도 0.5V의 메모리 윈도우를 유지하였으며, 105회 이상의 프로그램/소거 반복동작이 가능함을 확인하였다. 마지막으로 부유게이트 소자에서 심각하게 발생하고있는 과도소거현상이 SONOS 소자에서는 나타나지 않았다. | - |
| dc.format.extent | 7 | - |
| dc.publisher | 한국정보통신학회 | - |
| dc.title | 저전압 플래시메모리를 위한 SONOS 비휘발성 반도체기억소자에 관한 연구 | - |
| dc.title.alternative | A Study on SONOS Non-volatile Semiconductor Memory Devices for a Low Voltage Flash Memory | - |
| dc.type | Article | - |
| dc.publisher.location | 대한민국 | - |
| dc.identifier.bibliographicCitation | 한국정보통신학회논문지, v.7, no.2, pp 269 - 275 | - |
| dc.citation.title | 한국정보통신학회논문지 | - |
| dc.citation.volume | 7 | - |
| dc.citation.number | 2 | - |
| dc.citation.startPage | 269 | - |
| dc.citation.endPage | 275 | - |
| dc.identifier.kciid | ART000880302 | - |
| dc.description.isOpenAccess | N | - |
| dc.description.journalRegisteredClass | kciCandi | - |
| dc.subject.keywordAuthor | SONOS | - |
| dc.subject.keywordAuthor | Flash memory | - |
| dc.subject.keywordAuthor | Low programming voltage | - |
| dc.subject.keywordAuthor | Non-volatile | - |
| dc.subject.keywordAuthor | Nitride scaling | - |
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Collections - 융합기술공과대학 > Division of Converged Electronic Engineering > Journal Articles
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