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PRAM을 위한 Ge-Se-Te 박막의 상변환 특성Phase Change Characteristics of Ge-Se-Te Thin Film for PRAM
- Other Titles
- Phase Change Characteristics of Ge-Se-Te Thin Film for PRAM
- Issue Date
- 2011
- Publisher
- 한국전기전자재료학회
- Keywords
- GeSeTe; Phase change memory; Crystallization; Nano-pulse scanner; PRAM
- Citation
- 전기전자재료학회논문지, v.24, no.12, pp 982 - 987
- Pages
- 6
- Indexed
- KCI
- Journal Title
- 전기전자재료학회논문지
- Volume
- 24
- Number
- 12
- Start Page
- 982
- End Page
- 987
- ISSN
- 1226-7945
2288-3258
- Abstract
- 본 연구에서는, 나노 펄스 스캐너를 사용하여 Ge_8Se_(2+x)Te_(6-x) 박막의 비정질-결정질 상변화 속도를 평가하였다. 1–17 mW 파워(P) 범위와 10–460 ns 의 펄스폭(t) 범위에서, 10 μm 이하의 직경을 갖는 입사 레이저 빔을 입사하고 그에 대한 박막 표면으로부터의 응답 시그널을 측정하였다. 또한, 증착 직후 그리고 열처리한 박막에 대하여 광학적 흡수 특성과 에너지 갭, 결정구조, 면저항 등의 물성을 분석하였다. 실험 결과 Se 함량의 증가는 열적인 안정성 향상에 기여할 수 있음을 보여주었다.
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Collections - 융합기술공과대학 > Division of Converged Electronic Engineering > Journal Articles
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