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ZnO-SnO2 투명박막트랜지스터의 동작에 미치는 게이트 절연층의 영향open accessEffects of Gate Insulators on the Operation of ZnO-SnO2 Thin Film Transistors
- Other Titles
- Effects of Gate Insulators on the Operation of ZnO-SnO2 Thin Film Transistors
- Issue Date
- 2013
- Publisher
- 한국전기전자재료학회
- Keywords
- Transparent thin film transistors; Zinc tin oxide; Gate insulators; Mobility; Sunthreshold swing
- Citation
- 전기전자재료학회논문지, v.26, no.3, pp 177 - 182
- Pages
- 6
- Indexed
- KCI
- Journal Title
- 전기전자재료학회논문지
- Volume
- 26
- Number
- 3
- Start Page
- 177
- End Page
- 182
- ISSN
- 1226-7945
2288-3258
- Abstract
- N+ 실리콘웨이퍼 위에 SiO2, Si3N4, Al2O3를 각각 게이트절연층으로 기른 후 투명박막트랜지스터 (TTFT)를 제조하였다. 활성층으로는 산화물반도체인 ZnO-SnO2(ZTO)막을 고주파 스퍼터링하여 사용하였다. 실리콘웨이퍼를 습식산화시켜 SiO2를 길렀으며, Si3N4 및 Al2O3는 각각 PECVD 및 ALD로 증착하였다. ZTO TTFT의 전달 특성을 측정하여 이동도, 전류비 (Ion/Ioff), SS (subthreshold swing)를 구하였다. TTFT의 특성 비교를 통하여 각 게이트절연층의 특성을 분석하였다. 시간이 경과함에 따른 TTFT의 특성 변화를 측정하였다.
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Collections - 공과대학 > 반도체공학과 > Journal Articles
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