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ZnO-SnO2 투명박막트랜지스터의 동작에 미치는 게이트 절연층의 영향
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| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 천영덕 | - |
| dc.contributor.author | 박기철 | - |
| dc.contributor.author | 마대영 | - |
| dc.date.accessioned | 2022-12-27T01:18:06Z | - |
| dc.date.available | 2022-12-27T01:18:06Z | - |
| dc.date.issued | 2013 | - |
| dc.identifier.issn | 1226-7945 | - |
| dc.identifier.issn | 2288-3258 | - |
| dc.identifier.uri | https://scholarworks.gnu.ac.kr/handle/sw.gnu/21554 | - |
| dc.description.abstract | N+ 실리콘웨이퍼 위에 SiO2, Si3N4, Al2O3를 각각 게이트절연층으로 기른 후 투명박막트랜지스터 (TTFT)를 제조하였다. 활성층으로는 산화물반도체인 ZnO-SnO2(ZTO)막을 고주파 스퍼터링하여 사용하였다. 실리콘웨이퍼를 습식산화시켜 SiO2를 길렀으며, Si3N4 및 Al2O3는 각각 PECVD 및 ALD로 증착하였다. ZTO TTFT의 전달 특성을 측정하여 이동도, 전류비 (Ion/Ioff), SS (subthreshold swing)를 구하였다. TTFT의 특성 비교를 통하여 각 게이트절연층의 특성을 분석하였다. 시간이 경과함에 따른 TTFT의 특성 변화를 측정하였다. | - |
| dc.format.extent | 6 | - |
| dc.language | 한국어 | - |
| dc.language.iso | KOR | - |
| dc.publisher | 한국전기전자재료학회 | - |
| dc.title | ZnO-SnO2 투명박막트랜지스터의 동작에 미치는 게이트 절연층의 영향 | - |
| dc.title.alternative | Effects of Gate Insulators on the Operation of ZnO-SnO2 Thin Film Transistors | - |
| dc.type | Article | - |
| dc.publisher.location | 대한민국 | - |
| dc.identifier.doi | 10.4313/JKEM.2013.26.3.177 | - |
| dc.identifier.bibliographicCitation | 전기전자재료학회논문지, v.26, no.3, pp 177 - 182 | - |
| dc.citation.title | 전기전자재료학회논문지 | - |
| dc.citation.volume | 26 | - |
| dc.citation.number | 3 | - |
| dc.citation.startPage | 177 | - |
| dc.citation.endPage | 182 | - |
| dc.identifier.kciid | ART001750563 | - |
| dc.description.isOpenAccess | Y | - |
| dc.description.journalRegisteredClass | kci | - |
| dc.subject.keywordAuthor | Transparent thin film transistors | - |
| dc.subject.keywordAuthor | Zinc tin oxide | - |
| dc.subject.keywordAuthor | Gate insulators | - |
| dc.subject.keywordAuthor | Mobility | - |
| dc.subject.keywordAuthor | Sunthreshold swing | - |
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