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rf 마그네트론 스퍼터링으로 증착한 Mg-doped Zinc Tin Oxide막의 특성에 미치는 산소의 영향open accessEffects of Oxygen on the Properties of Mg-doped Zinc Tin Oxide Films Prepared by rf Magnetron Sputtering

Other Titles
Effects of Oxygen on the Properties of Mg-doped Zinc Tin Oxide Films Prepared by rf Magnetron Sputtering
Authors
박기철마대영
Issue Date
2013
Publisher
한국전기전자재료학회
Keywords
Transparent thin film transistors; Zinc tin oxide; XPS; Optical transmittance; Energy band gap
Citation
전기전자재료학회논문지, v.26, no.5, pp 373 - 379
Pages
7
Indexed
KCI
Journal Title
전기전자재료학회논문지
Volume
26
Number
5
Start Page
373
End Page
379
URI
https://scholarworks.gnu.ac.kr/handle/sw.gnu/21449
DOI
10.4313/JKEM.2013.26.5.373
ISSN
1226-7945
2288-3258
Abstract
유리기판 위에 Mg가 첨가된 zinc tin oxide(ZTO:Mg) 박막을 rf 마그네트론 스퍼터링하였다. 스퍼터링 시 주입된 산소와 아르곤의 유량에 따른 ZTO:Mg박막의 광 특성 변화를 측정하였다. 박막의 결정구조, 원소특성 및 깊이방향 원소분포를 조사하기 위하여 XRD, XPS 및 SIMS 측정을 수행하였다. 또한 N+ 실리콘웨이퍼를 게이트전극으로 사용한 bottom-gate 구조의 투명박막트랜지스터를 제조하고, 산소유량에 따른 ZTO:Mg박막트랜지스터의 이동도, 문턱전압 등의 변화를 관찰하였다.
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공과대학 > 반도체공학과 > Journal Articles

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