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rf 마그네트론 스퍼터링으로 증착한 Mg-doped Zinc Tin Oxide막의 특성에 미치는 산소의 영향

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dc.contributor.author박기철-
dc.contributor.author마대영-
dc.date.accessioned2022-12-27T01:06:40Z-
dc.date.available2022-12-27T01:06:40Z-
dc.date.issued2013-
dc.identifier.issn1226-7945-
dc.identifier.issn2288-3258-
dc.identifier.urihttps://scholarworks.gnu.ac.kr/handle/sw.gnu/21449-
dc.description.abstract유리기판 위에 Mg가 첨가된 zinc tin oxide(ZTO:Mg) 박막을 rf 마그네트론 스퍼터링하였다. 스퍼터링 시 주입된 산소와 아르곤의 유량에 따른 ZTO:Mg박막의 광 특성 변화를 측정하였다. 박막의 결정구조, 원소특성 및 깊이방향 원소분포를 조사하기 위하여 XRD, XPS 및 SIMS 측정을 수행하였다. 또한 N+ 실리콘웨이퍼를 게이트전극으로 사용한 bottom-gate 구조의 투명박막트랜지스터를 제조하고, 산소유량에 따른 ZTO:Mg박막트랜지스터의 이동도, 문턱전압 등의 변화를 관찰하였다.-
dc.format.extent7-
dc.language한국어-
dc.language.isoKOR-
dc.publisher한국전기전자재료학회-
dc.titlerf 마그네트론 스퍼터링으로 증착한 Mg-doped Zinc Tin Oxide막의 특성에 미치는 산소의 영향-
dc.title.alternativeEffects of Oxygen on the Properties of Mg-doped Zinc Tin Oxide Films Prepared by rf Magnetron Sputtering-
dc.typeArticle-
dc.publisher.location대한민국-
dc.identifier.doi10.4313/JKEM.2013.26.5.373-
dc.identifier.bibliographicCitation전기전자재료학회논문지, v.26, no.5, pp 373 - 379-
dc.citation.title전기전자재료학회논문지-
dc.citation.volume26-
dc.citation.number5-
dc.citation.startPage373-
dc.citation.endPage379-
dc.identifier.kciidART001769009-
dc.description.isOpenAccessY-
dc.description.journalRegisteredClasskci-
dc.subject.keywordAuthorTransparent thin film transistors-
dc.subject.keywordAuthorZinc tin oxide-
dc.subject.keywordAuthorXPS-
dc.subject.keywordAuthorOptical transmittance-
dc.subject.keywordAuthorEnergy band gap-
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