Detailed Information
Cited 0 time in 
Cited 0 time in 
Cited 0 time in
Metadata Downloads
기판 온도에 따른 ZnO:Ga 박막의 특성Study on the Properties of ZnO:Ga Thin Films with Substrate Temperatures
- Other Titles
- Study on the Properties of ZnO:Ga Thin Films with Substrate Temperatures
- Issue Date
- 2017
- Publisher
- 한국전기전자재료학회
- Keywords
- Ga doped ZnO (GZO); RF magnetron sputtering method; Substrate temperature
- Citation
- 전기전자재료학회논문지, v.30, no.12, pp 794 - 799
- Pages
- 6
- Indexed
- KCI
- Journal Title
- 전기전자재료학회논문지
- Volume
- 30
- Number
- 12
- Start Page
- 794
- End Page
- 799
- ISSN
- 1226-7945
2288-3258
- Abstract
- 갈륨도핑을 위해 5%의 Ga2O3를 함유한 ZnO 타겟으로 유리기판 위에 RF 마그네트론 스퍼터링 법으로 갈륨이 포함된 ZnO(GZO) 박막을 증착하였다. 기판온도의 변화에 대한 GZO 박막의 구조적, 전기적 및 광학특성을 조사하였다. 기판온도가 상온에서 350°C 로 바뀌면 증착률은 감소하였다. 유리기판에 수직인 c-축의 전형적인 배열을 보였고 결정립의 크기는 300°C까지는 증가하였으나 350°C에서는 감소하였다. 300°C에서 증착된 GZO 박막의 저항율은 7 × 10-4Ωcm 이고 전송자의 밀도와 이동도에 의존함을 보였다. 두께 3000Å의 박막에서 광투과도는 기판온도와 무관하게 80% 이상이었다.
- Files in This Item
- There are no files associated with this item.
- Appears in
Collections - 공과대학 > 반도체공학과 > Journal Articles
Items in ScholarWorks are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.