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기판 온도에 따른 ZnO:Ga 박막의 특성
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| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 김정규 | - |
| dc.contributor.author | 박기철 | - |
| dc.date.accessioned | 2022-12-26T19:04:03Z | - |
| dc.date.available | 2022-12-26T19:04:03Z | - |
| dc.date.issued | 2017 | - |
| dc.identifier.issn | 1226-7945 | - |
| dc.identifier.issn | 2288-3258 | - |
| dc.identifier.uri | https://scholarworks.gnu.ac.kr/handle/sw.gnu/14243 | - |
| dc.description.abstract | 갈륨도핑을 위해 5%의 Ga2O3를 함유한 ZnO 타겟으로 유리기판 위에 RF 마그네트론 스퍼터링 법으로 갈륨이 포함된 ZnO(GZO) 박막을 증착하였다. 기판온도의 변화에 대한 GZO 박막의 구조적, 전기적 및 광학특성을 조사하였다. 기판온도가 상온에서 350°C 로 바뀌면 증착률은 감소하였다. 유리기판에 수직인 c-축의 전형적인 배열을 보였고 결정립의 크기는 300°C까지는 증가하였으나 350°C에서는 감소하였다. 300°C에서 증착된 GZO 박막의 저항율은 7 × 10-4Ωcm 이고 전송자의 밀도와 이동도에 의존함을 보였다. 두께 3000Å의 박막에서 광투과도는 기판온도와 무관하게 80% 이상이었다. | - |
| dc.format.extent | 6 | - |
| dc.language | 한국어 | - |
| dc.language.iso | KOR | - |
| dc.publisher | 한국전기전자재료학회 | - |
| dc.title | 기판 온도에 따른 ZnO:Ga 박막의 특성 | - |
| dc.title.alternative | Study on the Properties of ZnO:Ga Thin Films with Substrate Temperatures | - |
| dc.type | Article | - |
| dc.publisher.location | 대한민국 | - |
| dc.identifier.doi | 10.4313/JKEM.2017.30.12.794 | - |
| dc.identifier.bibliographicCitation | 전기전자재료학회논문지, v.30, no.12, pp 794 - 799 | - |
| dc.citation.title | 전기전자재료학회논문지 | - |
| dc.citation.volume | 30 | - |
| dc.citation.number | 12 | - |
| dc.citation.startPage | 794 | - |
| dc.citation.endPage | 799 | - |
| dc.identifier.kciid | ART002287282 | - |
| dc.description.isOpenAccess | N | - |
| dc.description.journalRegisteredClass | kci | - |
| dc.subject.keywordAuthor | Ga doped ZnO (GZO) | - |
| dc.subject.keywordAuthor | RF magnetron sputtering method | - |
| dc.subject.keywordAuthor | Substrate temperature | - |
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