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뉴로모픽 응용을 위한 이중 모드 멤리스터의 단기 및장기 기억 특성 구현Implementation of Short-Term and Long-Term Memory Characteristics in Dual-Mode Memristors for Neuromorphic Applications

Other Titles
Implementation of Short-Term and Long-Term Memory Characteristics in Dual-Mode Memristors for Neuromorphic Applications
Authors
허건박규태김동욱홍채린이동구이정규
Issue Date
Dec-2025
Publisher
한국전기전자학회
Keywords
Dual-mode memristor; Ferroelectric switching; Resistive switching; Synaptic plasticity; Neuromorphic computing
Citation
전기전자학회논문지, v.29, no.4, pp 568 - 573
Pages
6
Indexed
KCI
Journal Title
전기전자학회논문지
Volume
29
Number
4
Start Page
568
End Page
573
URI
https://scholarworks.gnu.ac.kr/handle/sw.gnu/81858
ISSN
1226-7244
2288-243X
Abstract
본 연구는 동일한 물리적 소자에서 전압 조건에 따라 강유전성(FM)과 저항성(RM) 멤리스터를 선택적으로 제어할 수 있는 새로운형태의 이중 모드 멤리스터를 제시한다. FM 모드는 분극 누적에 기반한 단기기억(STM) 특성을, RM 모드는 안정적인 필라멘트 형성에 의한 장기기억(LTM) 특성을 나타냄을 실험적으로 규명하였다. 두 모드의 시냅틱 가소성 차이를 EPSC 기반 지표로 정량화하였으며, FM에서 높은 단기 강화 특성을 확인하였다. 또한 제안 소자를 활용해 MLP 및 reservoir computing 시스템을 구성하여MNIST 분류에서 각각 95.14 %, 94.2 %의 높은 정확도를 달성하였다. 본 연구는 하나의 소자에서 STM-LTM 기능과 다양한 신경망 연산을 동시에 가능하게 하는 멀티기능 뉴로모픽 플랫폼의 가능성을 제시한다.
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