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정전기적으로 고농도 도핑된 채널을 가지는 멀티 게이트 무 접합 트랜지스터
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| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 전대영 | - |
| dc.date.accessioned | 2025-10-31T13:01:25Z | - |
| dc.date.available | 2025-10-31T13:01:25Z | - |
| dc.identifier.uri | https://scholarworks.gnu.ac.kr/handle/sw.gnu/80443 | - |
| dc.title | 정전기적으로 고농도 도핑된 채널을 가지는 멀티 게이트 무 접합 트랜지스터 | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.publisher.location | 대한민국 | - |
| dc.contributor.assignee | 경상국립대학교 산학협력단 | - |
| dc.date.application | 2023-10-30 | - |
| dc.date.registration | 2025-09-19 | - |
| dc.type.iprs | 특허 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-2863865 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2023-0147004 | - |
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Collections - ETC > Patents
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