전산모사 시뮬레이션을 이용한 방사선 Displacement Defect에 의한 Superjunction MOSFET의 열화 현상

Abstract

Super-junction metal-oxide-semiconductor field effect transistor(SJ-MOSFET)에 대한 방사 효과로 인한 displacement defect 의 영향을 TCAD (Technology Computer Aided Design) 시뮬레이션을 기반으로 연구하였다. 수준의 Acceptor-like trap 은 의 Acceptor-like trap 및 의 Donor-like trap 에 비해 가장 심각한 열화현상을 보인다. displacement defect의 가장 심각한 열화현상이 나타나는 위치는 N-pillar의 중심인데, 이는 N-pillar의 중심이 주 전류 경로이기 때문이다. N-pillar의 중심에서 깊은 레벨 ()의 Acceptor-like trap의 displacement defect은 Id-Vg 특성의 최악의 열화현상을 유발한다. 항복 전압 특성의 경우 충격 이온화에 의해 수많은 전자-정공 쌍이 생성되기 때문에 트랩은 무시할 수 있는 수준이다.