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잡음 내성이 향상된 300W 공진형 하프-브리지 컨버터용 고전압 구동 IC 설계Design of the Noise Margin Improved High Voltage Gate Driver IC for 300W Resonant Half-Bridge Converter
- Other Titles
- Design of the Noise Margin Improved High Voltage Gate Driver IC for 300W Resonant Half-Bridge Converter
- Issue Date
- 2008
- Publisher
- 대한전자공학회
- Keywords
- High Voltage Gate Driver ICs; MOSFET Driver IC; Half-Bridge Converter; High Voltage Gate Driver ICs; MOSFET Driver IC; Half-Bridge Converter
- Citation
- 전자공학회논문지 - SD, v.45, no.10, pp 7 - 14
- Pages
- 8
- Indexed
- KCI
- Journal Title
- 전자공학회논문지 - SD
- Volume
- 45
- Number
- 10
- Start Page
- 7
- End Page
- 14
- ISSN
- 1229-6368
- Abstract
- 본 논문에서는 1.0㎛ BCD 650V 공정을 이용하여 향상된 잡음 내성과 높은 전류 구동 능력을 갖는 고전압 구동 IC를 설계하였다. 설계된 고전압 구동 IC는 500㎑의 고속 동작이 가능하고, 입력 전압의 범위가 최대 650V이다. 설계된 IC에 내장된 상단 레벨 쉬프터는 잡음 보호회로와 슈미트 트리거를 포함하고 있으며 최대 50V/ns의 높은 잡음 내성을 가지고 있다. 또한 설계된 숏-펄스 생성회로가 있는 상단 레벨 쉬프터의 전력 소모는 기존 회로 대비 40% 이상 감소하였다. 이외에도 상․하단 파워 스위치의 동시 도통을 방지하는 보호회로와 구동부의 전원 전압을 감지하는 UVLO(Under Voltage Lock-Out) 회로를 내장하여 시스템의 안정도를 향상시켰다. 설계된 고전압 구동 IC의 특성 검증에는 Cadence사의 spectre 및 PSpice를 이용하였다.
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Collections - 공과대학 > 전자공학과 > Journal Articles
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