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Ga이 첨가된 Zn0-SnO2막의 구조적 및 전기적 특성
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| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 박기철 | - |
| dc.contributor.author | 마대영 | - |
| dc.date.accessioned | 2022-12-27T03:34:52Z | - |
| dc.date.available | 2022-12-27T03:34:52Z | - |
| dc.date.issued | 2011 | - |
| dc.identifier.issn | 1226-7945 | - |
| dc.identifier.issn | 2288-3258 | - |
| dc.identifier.uri | https://scholarworks.gnu.ac.kr/handle/sw.gnu/24338 | - |
| dc.description.abstract | Ga이 첨가된 ZnO-SnO₂ (ZSGO) 투명막을 rf magnetron sputtering으로 제조한 후 제조된 막의 구조적 및 전기적 특성 을 조사하였다. 타겟을 제조하기 위하여, 무게비 1:1로 썩은 ZnO 및 SnO₂ 분말에다 3.0 wt%의 Ga를 첨가한 후 이것을 800℃ 에서 1시간 동안 소성시켰다. 스퍼터링 시 기판온도를 상온에서 300℃ 까지 변화시켰다. XRD와 SEM을 사용하여 막의 결정성 및 표면형상을 조사하였다. ZSGO막의 투과율을 측정하였으며, 흡수계수를 이용하여 에너지갭을 구하였다. 기판온도에 따른 저항율의 변화를 조사하였으며, Auger electron spectroscopy를 사용하여 막에 포함된 Zn, Sn, Ga 및 O의 원자비를 분석하였다. Ga을 첨가하여 증착한 ZnO-SnO₂ 막은 가시광영역 투과율 80% 이상, 저항율 106 Ωcm 이상을 나타내었다. | - |
| dc.format.extent | 6 | - |
| dc.language | 한국어 | - |
| dc.language.iso | KOR | - |
| dc.publisher | 한국전기전자재료학회 | - |
| dc.title | Ga이 첨가된 Zn0-SnO2막의 구조적 및 전기적 특성 | - |
| dc.title.alternative | Structural and Electrical Properties of Ga-doped ZnO-SnO2 Films | - |
| dc.type | Article | - |
| dc.publisher.location | 대한민국 | - |
| dc.identifier.bibliographicCitation | 전기전자재료학회논문지, v.24, no.8, pp 641 - 646 | - |
| dc.citation.title | 전기전자재료학회논문지 | - |
| dc.citation.volume | 24 | - |
| dc.citation.number | 8 | - |
| dc.citation.startPage | 641 | - |
| dc.citation.endPage | 646 | - |
| dc.identifier.kciid | ART001575479 | - |
| dc.description.isOpenAccess | N | - |
| dc.description.journalRegisteredClass | kci | - |
| dc.subject.keywordAuthor | Ga-doped ZnO-SnO2 films | - |
| dc.subject.keywordAuthor | Rf magnetron sputtering | - |
| dc.subject.keywordAuthor | Crystallographic properties | - |
| dc.subject.keywordAuthor | Surface morphologies | - |
| dc.subject.keywordAuthor | Transmittance | - |
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