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PRAM을 위한 Aux(Ge₂Sb₂Te_5)_(1-x) (x=0, 0.0110, 0.0323, 0.0625) 박막의 상변환 특성
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 신재호 | - |
| dc.contributor.author | 백승철 | - |
| dc.contributor.author | 김병철 | - |
| dc.contributor.author | 이현용 | - |
| dc.date.accessioned | 2022-12-27T03:18:29Z | - |
| dc.date.available | 2022-12-27T03:18:29Z | - |
| dc.date.issued | 2011 | - |
| dc.identifier.issn | 1226-7945 | - |
| dc.identifier.issn | 2288-3258 | - |
| dc.identifier.uri | https://scholarworks.gnu.ac.kr/handle/sw.gnu/24008 | - |
| dc.description.abstract | Ge₂Sb₂Te_5비정질 박막은 상변화 데이터 저장에 가장 일반적으로 사용되는 물질 중 하나이다. 본 연구에서는, 658 nm 레이저 빔을 사용하여 Aux(Ge₂Sb₂Te_5)1 - x 박막의 비정질-결정질 상변화 속도를 평가하였다. 1–17 mW 파워(P) 범위와 10–460 ns 의 펄스폭(t) 범위에서, 10 μm 이하의 직경을 갖는 입사 레이저 빔을 입사하고 그에 대한 박막 표면으로부터의 응답 시그널을 측정하였다. 또한, 증착 직후 그리고 열처리한 박막에 대하여 광학적 흡수 특성과 에너지 갭, 결정구조, 면저항 등의 물성을 분석하였다. 실험결과 Au 첨가는 Ge₂Sb₂Te_5박막의 열적인 안정성 향상에 기여할 수 있음을 확인하였다. | - |
| dc.format.extent | 6 | - |
| dc.language | 한국어 | - |
| dc.language.iso | KOR | - |
| dc.publisher | 한국전기전자재료학회 | - |
| dc.title | PRAM을 위한 Aux(Ge₂Sb₂Te_5)_(1-x) (x=0, 0.0110, 0.0323, 0.0625) 박막의 상변환 특성 | - |
| dc.title.alternative | Phase Change Characteristics of Aux(Ge₂Sb₂Te_5)_(1-x) (x=0, 0.0110, 0.0323, 0.0625)Thin Film for PRAM | - |
| dc.type | Article | - |
| dc.publisher.location | 대한민국 | - |
| dc.identifier.bibliographicCitation | 전기전자재료학회논문지, v.24, no.5, pp 404 - 409 | - |
| dc.citation.title | 전기전자재료학회논문지 | - |
| dc.citation.volume | 24 | - |
| dc.citation.number | 5 | - |
| dc.citation.startPage | 404 | - |
| dc.citation.endPage | 409 | - |
| dc.identifier.kciid | ART001549490 | - |
| dc.description.isOpenAccess | N | - |
| dc.description.journalRegisteredClass | kci | - |
| dc.subject.keywordAuthor | GeSbTe | - |
| dc.subject.keywordAuthor | Phase change memory | - |
| dc.subject.keywordAuthor | Crystallization | - |
| dc.subject.keywordAuthor | Au | - |
| dc.subject.keywordAuthor | PRAM | - |
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