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4비트 SONOS 전하트랩 플래시메모리를 구현하기 위한 기판 바이어스를 이용한 2단계 펄스 프로그래밍에 관한 연구
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| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 김병철 | - |
| dc.contributor.author | 김주연 | - |
| dc.contributor.author | 강창수 | - |
| dc.contributor.author | 이현용 | - |
| dc.date.accessioned | 2022-12-27T02:04:56Z | - |
| dc.date.available | 2022-12-27T02:04:56Z | - |
| dc.date.issued | 2012 | - |
| dc.identifier.issn | 1226-7945 | - |
| dc.identifier.issn | 2288-3258 | - |
| dc.identifier.uri | https://scholarworks.gnu.ac.kr/handle/sw.gnu/22564 | - |
| dc.description.abstract | 본 논문에서는 SONOS 메모리의 1셀 4비트 동작을 구현하기 위하여 기판 바이어스를 이용한 2단계 펄스 프로그래밍 방법을 제안하였다. 게이트 바이어스를 이용한 2단계 펄스 프로그래밍 방법과 CHEI 방법보다 이 프로그래밍 방법에 의한 프로그램 시간과 전압이 상당히 감소되었다. 다중-레벨 특성을 위한 4개의 문턱전압 상태의 차이가 10년 동안 최소한 0.5 V 이상 유지되는 것을 확인하였다. | - |
| dc.format.extent | 5 | - |
| dc.language | 한국어 | - |
| dc.language.iso | KOR | - |
| dc.publisher | 한국전기전자재료학회 | - |
| dc.title | 4비트 SONOS 전하트랩 플래시메모리를 구현하기 위한 기판 바이어스를 이용한 2단계 펄스 프로그래밍에 관한 연구 | - |
| dc.title.alternative | A Study on a Substrate-bias Assisted 2-step Pulse Programming for Realizing 4-bit SONOS Charge Trapping Flash Memory | - |
| dc.type | Article | - |
| dc.publisher.location | 대한민국 | - |
| dc.identifier.doi | 10.4313/JKEM.2012.25.6.409 | - |
| dc.identifier.bibliographicCitation | 전기전자재료학회논문지, v.25, no.6, pp 409 - 413 | - |
| dc.citation.title | 전기전자재료학회논문지 | - |
| dc.citation.volume | 25 | - |
| dc.citation.number | 6 | - |
| dc.citation.startPage | 409 | - |
| dc.citation.endPage | 413 | - |
| dc.identifier.kciid | ART001665258 | - |
| dc.description.isOpenAccess | Y | - |
| dc.description.journalRegisteredClass | kci | - |
| dc.subject.keywordAuthor | 4-bit SONOS memory | - |
| dc.subject.keywordAuthor | 2-step pulse programming | - |
| dc.subject.keywordAuthor | Substrate-bias assisted hot electron | - |
| dc.subject.keywordAuthor | Multi-bit | - |
| dc.subject.keywordAuthor | Multi-level | - |
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Collections - 융합기술공과대학 > Division of Converged Electronic Engineering > Journal Articles
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