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저전압 플래시메모리를 위한 SONOS 비휘발성 반도체기억소자에 관한 연구
A Study on SONOS Non-volatile Semiconductor Memory Devices for a Low Voltage Flash Memory
- 김병철;
- 탁한호
초록
저전압 프로그래밍이 가능한 플래시메모리를 실현하기 위하여 0.35㎛ CMOS 공정 기술을 이용하여 터널링산화막, 질화막 그리고 블로킹산화막의 두께가 각각 2.4㎚, 4.0㎚, 2.5㎚인 SONOS 트랜지스터를 제작하였으며, SONOS 메모리 셀의 면적은 1.32㎛2이었다. 질화막의 두께를 스케일링한 결과, 10V의 동작 전압에서 소거상태로부터 프로그램상태로, 반대로 프로그램상태에서 소거상태로 스위칭 하는데 50㎳의 시간이 필요하였으며, 최대 메모리윈도우는 1.76V이었다. 그리고 질화막의 두께를 스케일링함에도 불구하고 10년 후에도 0.5V의 메모리 윈도우를 유지하였으며, 105회 이상의 프로그램/소거 반복동작이 가능함을 확인하였다. 마지막으로 부유게이트 소자에서 심각하게 발생하고있는 과도소거현상이 SONOS 소자에서는 나타나지 않았다.
키워드
SONOS; Flash memory; Low programming voltage; Non-volatile; Nitride scaling
- 제목
- 저전압 플래시메모리를 위한 SONOS 비휘발성 반도체기억소자에 관한 연구
- 제목 (타언어)
- A Study on SONOS Non-volatile Semiconductor Memory Devices for a Low Voltage Flash Memory
- 저자
- 김병철; 탁한호
- 발행일
- 2003
- 저널명
- 한국정보통신학회논문지
- 권
- 7
- 호
- 2
- 페이지
- 269 ~ 275
- 출판사
- 한국정보통신학회
- 발행국가
- 대한민국
- 분량
- 7 페이지
- ISSN
- E 2288-4165
P 2234-4772