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초록
본 연구는 동일한 물리적 소자에서 전압 조건에 따라 강유전성(FM)과 저항성(RM) 멤리스터를 선택적으로 제어할 수 있는 새로운형태의 이중 모드 멤리스터를 제시한다. FM 모드는 분극 누적에 기반한 단기기억(STM) 특성을, RM 모드는 안정적인 필라멘트 형성에 의한 장기기억(LTM) 특성을 나타냄을 실험적으로 규명하였다. 두 모드의 시냅틱 가소성 차이를 EPSC 기반 지표로 정량화하였으며, FM에서 높은 단기 강화 특성을 확인하였다. 또한 제안 소자를 활용해 MLP 및 reservoir computing 시스템을 구성하여MNIST 분류에서 각각 95.14 %, 94.2 %의 높은 정확도를 달성하였다. 본 연구는 하나의 소자에서 STM-LTM 기능과 다양한 신경망 연산을 동시에 가능하게 하는 멀티기능 뉴로모픽 플랫폼의 가능성을 제시한다.
키워드
Dual-mode memristor; Ferroelectric switching; Resistive switching; Synaptic plasticity; Neuromorphic computing
- 제목
- 뉴로모픽 응용을 위한 이중 모드 멤리스터의 단기 및장기 기억 특성 구현
- 제목 (타언어)
- Implementation of Short-Term and Long-Term Memory Characteristics in Dual-Mode Memristors for Neuromorphic Applications
- 저자
- 허건; 박규태; 김동욱; 홍채린; 이동구; 이정규
- 발행일
- 2025-12
- 유형
- Y
- 저널명
- 전기전자학회논문지
- 권
- 29
- 호
- 4
- 페이지
- 568 ~ 573