후열처리 공정을 통한 양자점 전계 발광다이오드의전하 균형 향상 연구

Study on Charge Balance Improvement in Electro luminescence Quantum Dot Light-Emitting Diodes through Post-Annealing Process
  • 정재영
  • 장석환
  • 정재범
  • 정성우
  • 김대윤
  • ... 김준영
  • 외 5명

초록

후열처리(Post-Annealing) 공정은 소자 제작 후 추가적인 열을 가하는 것으로 소자의 안정성을 높이고 성능을 개선시키는 방안으로 연구되고 있다. 소자의 구조에 따라 공정조건과 결과가 다르게 나타나기에 그 원인을 규명할 필요가 있다. 본 연구에서는Post-Annealing 공정이 전하의 흐름에 미치는 영향을 조사했다. 연구 결과 최대 외부 양자 효율(External Quantum Efficiency;EQE)과 전류효율(Current Efficiency)이 각각 118 %, 120 %, 최대 휘도는 1000 nit 상승하였으며, 전압 당 전류밀도는 줄어들었다. 이는 전자 주입의 향상으로 인해 발광층으로 공급되는 전하의 균형이 향상되는 것과, 에폭시 레진의 Thiol 분자가 열에 의해하부층으로 확산되어 Quantumdot(QD)의 photoluminescence(PL)성능을 향상시키기 때문으로 특정된다

키워드

Post-AnnealingQuantum DotsQuantum Dot Light-Emitting DiodesCharge Balancehole injectionelectron injectionexciton
제목
후열처리 공정을 통한 양자점 전계 발광다이오드의전하 균형 향상 연구
제목 (타언어)
Study on Charge Balance Improvement in Electro luminescence Quantum Dot Light-Emitting Diodes through Post-Annealing Process
저자
정재영장석환정재범정성우김대윤권해주김대윤김영욱정병국황동렬김준영
발행일
2024-12
저널명
전기전자학회논문지
28
4
페이지
635 ~ 643