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초록
N+ 실리콘웨이퍼 위에 SiO2, Si3N4, Al2O3를 각각 게이트절연층으로 기른 후 투명박막트랜지스터 (TTFT)를 제조하였다. 활성층으로는 산화물반도체인 ZnO-SnO2(ZTO)막을 고주파 스퍼터링하여 사용하였다. 실리콘웨이퍼를 습식산화시켜 SiO2를 길렀으며, Si3N4 및 Al2O3는 각각 PECVD 및 ALD로 증착하였다. ZTO TTFT의 전달 특성을 측정하여 이동도, 전류비 (Ion/Ioff), SS (subthreshold swing)를 구하였다. TTFT의 특성 비교를 통하여 각 게이트절연층의 특성을 분석하였다. 시간이 경과함에 따른 TTFT의 특성 변화를 측정하였다.
키워드
Transparent thin film transistors; Zinc tin oxide; Gate insulators; Mobility; Sunthreshold swing
- 제목
- ZnO-SnO2 투명박막트랜지스터의 동작에 미치는 게이트 절연층의 영향
- 제목 (타언어)
- Effects of Gate Insulators on the Operation of ZnO-SnO2 Thin Film Transistors
- 저자
- 천영덕; 박기철; 마대영
- 발행일
- 2013
- 저널명
- 전기전자재료학회논문지
- 권
- 26
- 호
- 3
- 페이지
- 177 ~ 182
- 언어
- KOR
- 출판사
- 한국전기전자재료학회
- 발행국가
- 대한민국
- 분량
- 6 페이지
- ISSN
- E 2288-3258
P 1226-7945