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초록
고주파 마그네트론 스퍼터링으로～500 nm 두께의 ZnO:Al막을 증착하였다. 증착된 ZnO:Al막을 100 ℃, 200 ℃, 300 ℃ 및400 ℃에서 10시간 동안 열처리하였다. ZnO:Al막의 열처리에 따른 저항률, 캐리어 농도 및 이동도 변화를 측정하였다. XRD,FESEM 결과를 통해 열처리에 따른 ZnO:Al막의 저항률 변화 원인을 조사하였다. ZnO:Al막의 광 투과율을 측정한 후 에너지밴드 갭, Urbach 에너지 및 굴절률을 도출하였다. ZnO:Al막의 전기적 특성 변화를 광특성과 연관지어 설명하였다.
키워드
ZnO:Al films; annealing; mobility; Urbach; transmittance
- 제목
- ZnO:Al 투명도전막의 열처리에 따른전기적 및 광학적 특성
- 제목 (타언어)
- Electrical and optical properties of ZnO:Al transparent conductive films with thermal treatments
- 저자
- 마대영; 박기철
- 발행일
- 2020
- 저널명
- 전기전자학회논문지
- 권
- 24
- 호
- 2
- 페이지
- 435 ~ 440