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NAND 전하트랩 플래시메모리를 위한 p채널 SONOS 트랜지스터의 특성
The Characteristics of p-channel SONOS Transistor for the NAND Charge-trap Flash Memory
- 김병철;
- 김주연
초록
In this study, p-channel silicon-oxide-nitride-oxide-silicon(SONOS) transistors are fabricated and characterized as an unit cell for NAND flash memory. The SONOS transistors are fabricated by 0.13 ㎛ low power standard logic process technology. The thicknesses of gate insulators are 2.0 ㎚ for the tunnel oxide, 1.4 ㎚ for the nitride layer, and 4.9 ㎚ for the blocking oxide. The fabricated SONOS transistors show low programming voltage and fast erase speed. However, the retention and endurance of the devices show poor characteristics.
키워드
p-channel SONOS; NAND flash memory; Charge-trap flash; Low programming voltage; Fast erase speed
- 제목
- NAND 전하트랩 플래시메모리를 위한 p채널 SONOS 트랜지스터의 특성
- 제목 (타언어)
- The Characteristics of p-channel SONOS Transistor for the NAND Charge-trap Flash Memory
- 저자
- 김병철; 김주연
- 발행일
- 2009
- 저널명
- 전기전자재료학회논문지
- 권
- 22
- 호
- 1
- 페이지
- 7 ~ 11
- 언어
- KOR
- 출판사
- 한국전기전자재료학회
- 발행국가
- 대한민국
- 분량
- 5 페이지
- ISSN
- E 2288-3258
P 1226-7945