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초록
고주파 마그네트론 스퍼터링으로 증착된 ～185 nm 두께의 ITO막을 습도 100%에서 열처리하였다. 온도 200 ℃, 250 ℃,300 ℃, 350 ℃, 400 ℃ 및 450 ℃에서 각각 4시간 동안 열처리하였다. 고습 열처리에 따른 저항률, 전자농도 및 이동도 변화를 조사하였다. XRD결과로 스트레스 변화를 계산하였으며, FESEM 사진을 통해 ITO막의 표면형상을 관찰하였다. 광투과율을 측정한 후 에너지 밴드 갭을 구하였으며, Burnstein-Moss 효과와 비교 및 분석하였다.
키워드
ITO films; sputtering; annealing; XRD; Burnstein-Moss effect
- 제목
- 고습에서 열처리된 ITO 박막의 전기적 및 광학적 특성
- 제목 (타언어)
- Electrical and optical properties of ITO films annealed at high humidity
- 저자
- 마대영; 박기철
- 발행일
- 2021
- 저널명
- 전기전자학회논문지
- 권
- 25
- 호
- 1
- 페이지
- 47 ~ 52