후열처리 공정을 통한 양자점 전계 발광다이오드의전하 균형 향상 연구

Abstract

후열처리(Post-Annealing) 공정은 소자 제작 후 추가적인 열을 가하는 것으로 소자의 안정성을 높이고 성능을 개선시키는 방안으로 연구되고 있다. 소자의 구조에 따라 공정조건과 결과가 다르게 나타나기에 그 원인을 규명할 필요가 있다. 본 연구에서는Post-Annealing 공정이 전하의 흐름에 미치는 영향을 조사했다. 연구 결과 최대 외부 양자 효율(External Quantum Efficiency;EQE)과 전류효율(Current Efficiency)이 각각 118 %, 120 %, 최대 휘도는 1000 nit 상승하였으며, 전압 당 전류밀도는 줄어들었다. 이는 전자 주입의 향상으로 인해 발광층으로 공급되는 전하의 균형이 향상되는 것과, 에폭시 레진의 Thiol 분자가 열에 의해하부층으로 확산되어 Quantumdot(QD)의 photoluminescence(PL)성능을 향상시키기 때문으로 특정된다