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고습에서 열처리된 ITO 박막의 전기적 및 광학적 특성

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dc.contributor.author마대영-
dc.contributor.author박기철-
dc.date.accessioned2022-12-26T11:46:09Z-
dc.date.available2022-12-26T11:46:09Z-
dc.date.issued2021-
dc.identifier.issn1226-7244-
dc.identifier.issn2288-243X-
dc.identifier.urihttps://scholarworks.gnu.ac.kr/handle/sw.gnu/5451-
dc.description.abstract고주파 마그네트론 스퍼터링으로 증착된 ~185 nm 두께의 ITO막을 습도 100%에서 열처리하였다. 온도 200 ℃, 250 ℃,300 ℃, 350 ℃, 400 ℃ 및 450 ℃에서 각각 4시간 동안 열처리하였다. 고습 열처리에 따른 저항률, 전자농도 및 이동도 변화를 조사하였다. XRD결과로 스트레스 변화를 계산하였으며, FESEM 사진을 통해 ITO막의 표면형상을 관찰하였다. 광투과율을 측정한 후 에너지 밴드 갭을 구하였으며, Burnstein-Moss 효과와 비교 및 분석하였다.-
dc.format.extent6-
dc.language한국어-
dc.language.isoKOR-
dc.publisher한국전기전자학회-
dc.title고습에서 열처리된 ITO 박막의 전기적 및 광학적 특성-
dc.title.alternativeElectrical and optical properties of ITO films annealed at high humidity-
dc.typeArticle-
dc.publisher.location대한민국-
dc.identifier.doi10.7471/ikeee.2021.25.1.47-
dc.identifier.bibliographicCitation전기전자학회논문지, v.25, no.1, pp 47 - 52-
dc.citation.title전기전자학회논문지-
dc.citation.volume25-
dc.citation.number1-
dc.citation.startPage47-
dc.citation.endPage52-
dc.identifier.kciidART002703826-
dc.description.isOpenAccessN-
dc.description.journalRegisteredClasskci-
dc.subject.keywordAuthorITO films-
dc.subject.keywordAuthorsputtering-
dc.subject.keywordAuthorannealing-
dc.subject.keywordAuthorXRD-
dc.subject.keywordAuthorBurnstein-Moss effect-
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