에칭용액의 인산 첨가량에 따른 양극산화알루미늄 템플레이트의 제작 및 특성

Abstract

두 단계의 양극 산화 공전에 의해 제조된 양극 산화알루미늄(AAO)는 높은 종횡비는 갖기 때문에 기공의 구조를 갖는 나노 템플릿을 제작할 수 있다. 이러한 AAO는 제작 비용이 낮고 제작 공정이 간단하기 때문에 많은 관심을 끌고 있다. AAO는 규칙적으로 배열된 수직으로 성장하는 기공 형태를 갖고, 전해질의 pH와 전압의 변화에 따른 양극산화 조건 변화에 따라 템플릿 표면의 기공의 길이와 크기, 기공의 간격을 조절할 수 있다. 본 연구에서는 제작된 AAO템플릿을 X-ray diffraction과 field-emission scanning electron microscope (FE-SEM)으로 특성을 측정하였다. 식각 과정에서 쓰이는 크롬산과 인산의 혼합용액에서 인산용액의 양을 변화 시켰을 때, 인산용액 양을 변화는 AAO 템플릿의 기공의 사이즈 변화에는 큰 영향을 미치지 않는 것으로 사료된다.