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동적 문턱전압 MOSFET를 사용한 새로운 저전압 저전력 셀프 캐스코드 구조의 설계 및 응용
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| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 한석붕 | - |
| dc.contributor.author | 고진환 | - |
| dc.contributor.author | 송한정 | - |
| dc.contributor.author | 김강철 | - |
| dc.date.accessioned | 2022-12-26T17:47:44Z | - |
| dc.date.available | 2022-12-26T17:47:44Z | - |
| dc.date.issued | 2018 | - |
| dc.identifier.issn | 2287-5026 | - |
| dc.identifier.issn | 2288-159X | - |
| dc.identifier.uri | https://scholarworks.gnu.ac.kr/handle/sw.gnu/12659 | - |
| dc.description.abstract | 본 논문에서는 동적 문턱전압 MOSFET를 사용한 새로운 셀프 캐스코드 구조의 설계방식을 제안한다. 제안한 셀프 캐스코드는 저전압 및 저전력 소비를 위하여 공급전압이 500mV인 약반전 영역에서 동작하며 이 구조는 기존의 구조들에 비하여 칩 면적이 매우 작고 DC 바이어스 전압이 요구되지 않는다. 또한 동적 문턱전압 MOSFET의 특성에 의하여 트랜스컨덕턴스 (출력저항)는 단일 MOSFET 및 기존의 셀프 캐스코드에 비하여 각각 45%(163%), 24%(80%) 이상 증가한다. 본 논문에서 제안한 설계방식의 타당성을 검증하기 위하여, 기존 및 제안한 셀프 캐스코드들에 의하여 전류미러를 설계하였다. 모의실험은 Cadence 툴에 의하여 TSMC 0.18 ㎛ CMOS 공정을 사용하여 수행되었다. 모의실험 결과, 본 논문에서 제안한 방식으로 설계한 전류미러의 출력 전압에 대한 출력전류의 변동률이 20배 이상 향상되었다. | - |
| dc.format.extent | 8 | - |
| dc.language | 한국어 | - |
| dc.language.iso | KOR | - |
| dc.publisher | 대한전자공학회 | - |
| dc.title | 동적 문턱전압 MOSFET를 사용한 새로운 저전압 저전력 셀프 캐스코드 구조의 설계 및 응용 | - |
| dc.title.alternative | Design and Application of New Low-voltage Low-power Self-cascode Structures Using Dynamic Threshold MOSFET | - |
| dc.type | Article | - |
| dc.publisher.location | 대한민국 | - |
| dc.identifier.bibliographicCitation | 전자공학회논문지, v.55, no.7, pp 21 - 28 | - |
| dc.citation.title | 전자공학회논문지 | - |
| dc.citation.volume | 55 | - |
| dc.citation.number | 7 | - |
| dc.citation.startPage | 21 | - |
| dc.citation.endPage | 28 | - |
| dc.identifier.kciid | ART002369091 | - |
| dc.description.isOpenAccess | N | - |
| dc.description.journalRegisteredClass | kci | - |
| dc.subject.keywordAuthor | Current mirror | - |
| dc.subject.keywordAuthor | DTMOS | - |
| dc.subject.keywordAuthor | Low-power | - |
| dc.subject.keywordAuthor | Low-voltage | - |
| dc.subject.keywordAuthor | Self-cascode | - |
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